應(yīng)用于半導(dǎo)體和微電子制程工藝的GORE?臭氧化模組
戈?duì)柕某粞趸=M擁有超過40年的可靠表現(xiàn),能夠生成更潔凈、無氣泡且濃度更高的臭氧水,用于清洗硅晶圓、半導(dǎo)體和平板顯示器的制程工藝。戈?duì)柕某粞趸=M支持環(huán)保的清洗工藝,從而減少使用刺激性化學(xué)品,改善工藝性能,降低運(yùn)營(yíng)成本。
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概述
環(huán)保趨勢(shì),采用臭氧水處理方案,減少使用化學(xué)品
業(yè)界傳統(tǒng)上使用化學(xué)混合物進(jìn)行硅片清洗和半導(dǎo)體清洗。然而,臭氧水處理方案更環(huán)保,可以減少?gòu)U物處理,降低成本,正越來越多地獲得采納。
制造商希望在室溫下使用清洗液,安全節(jié)能地去除有機(jī)物和進(jìn)行表面處理。他們還希望減少使用非環(huán)保且廢物處理成本高的傳統(tǒng)化學(xué)品。以SPM(硫酸混合物)工藝為例,這種工藝使用雙氧水和熱硫酸的混合物,但硫酸是一種腐蝕性和有害的化學(xué)品,會(huì)增加廢物處理成本。
制造商還需要更潔凈,且臭氧溶解濃度高于目前水平的臭氧水,以幫助提高產(chǎn)量。潔凈的臭氧水可確保去除硅晶圓和平板顯示器上的有機(jī)污物。
戈?duì)柕哪=M是如何幫助改進(jìn)半導(dǎo)體清洗工藝的
自20世紀(jì)80年代以來,GORE臭氧化模組已成功應(yīng)用于臭氧水晶圓清洗工具,用于清洗硅晶圓和半導(dǎo)體。該臭氧化模組使用去離子臭氧水,比常用的刺激性化學(xué)品和需經(jīng)過多個(gè)半導(dǎo)體清洗工藝步驟的方法更安全、更有效。
例如,濕法清洗和光刻膠去除方法在制備硅晶圓過程中使用化學(xué)品進(jìn)行清洗,隨后采用硫酸混合濕法清洗工藝,然而這個(gè)流程同樣使用化學(xué)品去除殘留的有機(jī)污物。
更潔凈、無氣泡的臭氧水方案
久經(jīng)驗(yàn)證,生成的臭氧水具有持續(xù)穩(wěn)定的濃度和流速
戈?duì)柕哪=M可以生成目前市場(chǎng)上更潔凈、無氣泡的臭氧化超純水,比機(jī)械混合技術(shù)(如噴射器或靜態(tài)混合器)生成的臭氧水更潔凈。
這些模組還可以實(shí)現(xiàn)更高的溶解臭氧濃度,高達(dá)200 mg/L。它們持續(xù)穩(wěn)定地將臭氧氣體溶解到超高純水中,生成更潔凈、無氣泡的臭氧水。我們的臭氧模組具有微孔結(jié)構(gòu)的含氟聚合物膜,能承受超過0.40 MPa的高進(jìn)水壓(WEP)。
經(jīng)長(zhǎng)期應(yīng)用驗(yàn)證,戈?duì)柍粞趸=M生成的臭氧水具有持續(xù)穩(wěn)定的濃度和流量,是清洗硅晶圓和平板顯示器臭氧水系統(tǒng)的理想解決方案。
與機(jī)械混合技術(shù)對(duì)比,GORE臭氧化模組的優(yōu)勢(shì)
將GORE臭氧化模組與機(jī)械混合技術(shù)進(jìn)行比較,可以更好地了解我們產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)。如需了解關(guān)于我們模組特性和性能的更多信息,請(qǐng)即聯(lián)系我們。
關(guān)鍵屬性 | GORE臭氧化模組 | 機(jī)械混合技術(shù) (注射器/噴射器和靜態(tài)混合器) |
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潔凈度 |
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工作性能 |
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應(yīng)用
GORE臭氧化模組是具成本效益的解決方案,適用于微電子行業(yè)中先進(jìn)的半導(dǎo)體制程工藝中的臭氧水制備和臭氧清洗工藝,如:
- 硅晶圓清洗和生產(chǎn)
- 邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片制造
- LED/OLED/QOLED (LTPS)平板顯示器清洗和制造
- 光掩膜
如果您有任何疑問或具體應(yīng)用需求,請(qǐng)即聯(lián)系我們。
特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)
GORE臭氧化模組具有多種特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn),可幫助半導(dǎo)體臭氧水清洗設(shè)備制造商提高臭氧水的制備性能,如:
- 無氣泡的超高純度臭氧水,最高濃度可達(dá)200mg /L
- 由于獨(dú)特的含氟聚合物結(jié)構(gòu),生成更高潔凈度的臭氧水
- 采用ePTFE膜管,實(shí)現(xiàn)無顆粒污染
- 采用微孔膜技術(shù),允許高進(jìn)水壓> 0.40 MPa
- 經(jīng)過長(zhǎng)期應(yīng)用驗(yàn)證,確保性能連續(xù)性和一致性
- 臭氧水的濃度和流量易于控制
如需了解有關(guān)戈?duì)柍粞趸=M的特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)的更多信息,請(qǐng)即聯(lián)系我們。
產(chǎn)品特征
這些數(shù)值說明了GORE臭氧化模組應(yīng)用在半導(dǎo)體和微電子制造工藝的特性。
特性 | 戈?duì)柈a(chǎn)品料號(hào) | |
---|---|---|
GN-142-300 | GN-142-650 | |
長(zhǎng)度(法蘭之間)mm | 300 | 650 |
直徑mm | 142 | 142 |
膜材料 | 膨體聚四氟乙烯 (ePTFE) | 膨體聚四氟乙烯 (ePTFE) |
外殼材料 | PTFE/PFA | PTFE/PFA |
臭氧濃度ppm | 高達(dá)200 | 高達(dá)200 |
進(jìn)水壓(WEP) MPa | > 0.40 | > 0.40 |
最大液壓MPaG | 0至0.35 | 0至0.35 |
最大氣壓MPaG | 0.25 | 0.25 |
建議工作溫度°C | 0至+30 | 0至+30 |
如何購(gòu)買
如需訂購(gòu)或了解戈?duì)柍粞趸=M的更多信息
戈?duì)柕哪=M采用獨(dú)特的微孔膜技術(shù),能夠生成比業(yè)內(nèi)純度更高且無氣泡的臭氧水。產(chǎn)品性能久經(jīng)驗(yàn)證,是改進(jìn)半導(dǎo)體晶圓和平板顯示器制造清洗工藝,更環(huán)保的可靠解決方案。如需訂購(gòu)和了解戈?duì)柍粞趸=M的詳細(xì)技術(shù)信息,請(qǐng)即聯(lián)系我們。
相關(guān)資料
數(shù)據(jù)表:應(yīng)用于半導(dǎo)體和微電子制程工藝的GORE?臭氧化模組
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